¿Qué significa memoria flash?
La memoria flash es un chip de memoria no volátil que se utiliza para almacenar y transferir datos entre un ordenador personal (PC) y dispositivos digitales. Tiene la capacidad de reprogramarse y borrarse electrónicamente. Suele encontrarse en memorias USB, reproductores MP3, cámaras digitales y unidades de estado sólido.
La memoria flash es un tipo de memoria de sólo lectura programable y borrable electrónicamente (EEPROM), pero también puede ser un dispositivo de almacenamiento de memoria independiente, como una unidad USB.
La EEPROM es un tipo de dispositivo de memoria de datos que utiliza un dispositivo electrónico para borrar o escribir datos digitales. La memoria flash es un tipo distinto de EEPROM, que se programa y borra en grandes bloques.
La memoria flash incorpora el uso de transistores de puerta flotante para almacenar datos. Los transistores de puerta flotante, o MOSFET de puerta flotante (FGMOS), son similares al MOSFET, que es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
Los transistores de puerta flotante están aislados eléctricamente y utilizan un nodo flotante en corriente continua (CC). La memoria Flash es similar al MOFSET estándar, salvo que el transistor tiene dos puertas en lugar de una.
Definición de memoria flash
La memoria flash se introdujo por primera vez en 1980 y fue desarrollada por el Dr. Fujio Masuoka, inventor y director de fábrica de nivel medio de Toshiba Corporation (TOSBF). La memoria flash recibió su nombre por su capacidad de borrar un bloque de datos «»en un instante«».
El objetivo del Dr. Masuoka era crear un chip de memoria que conservara los datos cuando se desconectara la alimentación. El Dr. Masuoka también inventó un tipo de memoria conocida como SAMOS y desarrolló una memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) de 1Mb.
En 1988, Intel Corporation fabricó el primer chip flash comercial de tipo NOR, que sustituyó al chip de memoria de sólo lectura (ROM) permanente de las placas base de los PC que contenían el sistema operativo básico de entrada/salida (BIOS).
Un chip de memoria flash se compone de puertas NOR o NAND. NOR es un tipo de célula de memoria creada por Intel en 1988. La interfaz de la puerta NOR admite direcciones completas, buses de datos y acceso aleatorio a cualquier posición de memoria. La vida útil de la memoria flash NOR es de 10.000 a 1.000.000 de ciclos de escritura/borrado.
La NAND fue desarrollada por Toshiba un año después de la NOR. Es más rápida, tiene un coste por bit más bajo, requiere menos superficie de chip por celda y tiene una resistencia añadida.
La vida útil de una puerta NAND es de aproximadamente 100.000 ciclos de escritura/borrado. En el flash de puerta NOR, cada celda tiene un extremo conectado a una línea de bits y el otro a una masa. Si una línea de palabra está «alta», el transistor procede a bajar la línea de bits de salida.
La memoria flash tiene muchas características. Es mucho menos cara que la EEPROM y no necesita pilas para el almacenamiento en estado sólido, como la RAM estática (SRAM). No es volátil, tiene un tiempo de acceso muy rápido y presenta una mayor resistencia a los choques cinéticos que una unidad de disco duro.
La memoria flash es extremadamente duradera y puede soportar presiones intensas o temperaturas extremas. Puede utilizarse para una amplia gama de aplicaciones, como cámaras digitales, teléfonos móviles, ordenadores portátiles, PDA (asistentes digitales personales), reproductores de audio digital y unidades de estado sólido (SSD).