Techopedia est financé par des liens d'affiliation, sans que cela n'affecte Qu’est-ce que la mémoire flash ?
La mémoire flash est une puce mémoire non volatile utilisée pour le stockage et le transfert de données entre un ordinateur personnel (PC) et des appareils numériques.
Elle a la capacité d’être reprogrammée et effacée électroniquement. On la trouve souvent dans les clés USB, les lecteurs MP3, les appareils photo numériques et les disques SSD.
La mémoire flash, un type de mémoire morte programmable effaçable électroniquement (EEPROM), peut également servir de périphérique de stockage de mémoire autonome tel qu’une clé USB.
L’EEPROM est un type de périphérique de mémoire de données utilisant un dispositif électronique pour effacer ou écrire des données numériques. La mémoire flash est un type distinct d’EEPROM, qui est programmée et effacée en gros blocs.
La mémoire flash intègre l’utilisation de transistors à grille flottante pour stocker des données. Les transistors à grille flottante, ou MOSFET à grille flottante (FGMOS), sont similaires au MOSFET, qui est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Les transistors à grille flottante sont isolés électriquement et utilisent un nœud flottant en courant continu (CC). La mémoire flash est similaire au MOFSET standard, sauf que le transistor possède deux portes au lieu d’une.
Techopedia explique la mémoire flash
La mémoire flash a été introduite pour la première fois en 1980 et a été développée par le Dr Fujio Masuoka, inventeur et directeur d’usine de niveau intermédiaire chez Toshiba Corporation (TOSBF).
La mémoire flash doit son nom à sa capacité à effacer un bloc de données « en un éclair ». L’objectif du Dr Masuoka était de créer une puce mémoire préservant les données lorsque l’alimentation était coupée.
Le Dr Masuoka a également inventé un type de mémoire connu sous le nom de SAMOS et a développé une mémoire vive dynamique (DRAM) de 1 Mo.
En 1988, Intel Corporation a produit la première puce flash commerciale de type NOR, qui a remplacé la puce de mémoire morte permanente (ROM) sur les cartes mères de PC contenant le système d’exploitation d’entrée/sortie de base (BIOS).
Une puce de mémoire flash est composée de portes logiques NOR ou NAND. NOR est un type de cellule mémoire créé par Intel en 1988.
L’interface de porte NOR prend en charge :
- les adresses complètes,
- les bus de données
- l’accès aléatoire à n’importe quel emplacement de mémoire.
La durée de vie de la mémoire flash NOR est de 10 000 à 1 000 000 de cycles d’écriture/effacement.
La NAND a été développée par Toshiba un an après la production de la NOR. Elle est plus rapide, a un coût par bit inférieur, nécessite moins de surface de puce par cellule et a une résilience accrue. La durée de vie d’une porte NAND est d’environ 100 000 cycles d’écriture/effacement.
Dans la mémoire flash à porte logique NOR, chaque cellule a une extrémité connectée à une ligne de bits et l’autre extrémité connectée à la masse. Si une ligne de mots est « haute », le transistor procède à l’abaissement de la ligne de bits de sortie.
La mémoire flash présente de nombreuses caractéristiques :
- Elle est beaucoup moins chère que l’EEPROM et ne nécessite pas de piles pour le stockage à semi-conducteurs comme la RAM statique (SRAM).
- Elle est non volatile, dispose d’un temps d’accès très rapide et a une résistance aux chocs cinétiques supérieure à celle d’un disque dur.
- La mémoire flash est extrêmement durable et peut supporter une pression intense ou des températures extrêmes.
- Elle peut être utilisée pour un large éventail d’applications telles que les appareils photo numériques, les téléphones portables, les ordinateurs portables, les PDA (assistants numériques personnels), les lecteurs audio numériques et les disques SSD (Solid State Drives).
